ترجمه مقاله لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى

مقاله ترجمه شده با عنوان لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى.

جزئیات بیشتر این محصول:

عنوان انگلیسی مقاله: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits

عنوان فارسی مقاله: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ٣٢

چکیده ترجمه:

در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ، منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترانزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی، نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده، که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده، نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده، و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار، فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین، روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط ٧٩.۴ درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’٩١ نشان می دهند.

کلیدواژه: ریزمیکرون ژرف، نشت توان، بهینه سازی توان، پشته ترانزیستور

١.مقدمه:

تلف توان موضوع مهمی در طراحی مدارات CMOS VLSI می باشد. مصرف توان زیاد،موجب کاهش عمر باطری در کاربردهای دارای باطری می شود و در قابلیت اطمینان، بسته ای سازی، و هزینه های خنک سازی تاثیر می گذارد. منابع اصلی تلفات توان این ها هستند: ١) تلفات توان خازنی مبنی بر شارژ و تخلیه ی(دشارژ) خازن بار. ٢) جریان های اتصال کوتاه،بدلیل وجود یک مسیر رسانا میان منبع ولتاژ و گراند برای مدت کوتاهی در حین اینکه یک دروازه منطقی در حال عبور جریان از خود است؛ و ٣) جریان نشتی. جریان نشتی شامل جریان های دیود بایاس معکوس و جریان های زیرآستانه می باشد.

پرداخت و دانلود فایل

PDF: ترجمه مقاله لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى

مقالاتی که ممکن است مرتبط باشند

  • ترجمه مقاله روش کنترل بردار ورودی و…
    مقاله ترجمه شده با عنوان روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: A Combined Gate Replacement and Input Vector Control Approach for Leakage Current Reduction عنوان فارسی…
  • ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی بر…
    مقاله ترجمه شده با عنوان ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلی جدید. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers عنوان فارسی مقاله: ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى…
  • ترجمه مقاله تعیین مشخصه های اینورتر…
    مقاله ترجمه شده با عنوان تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Characterization for Novel Non-traditional…
  • ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر…
    مقاله ترجمه شده با عنوان جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى65 نانومتری. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: ١-Bit Sub Threshold Full Adders in ۶۵nm CMOS Technology عنوان…
  • ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر…
    مقاله ترجمه شده با عنوان جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى65 نانومتری. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: ١-Bit Sub Threshold Full Adders in ۶۵nm CMOS Technology عنوان…
  • پروژه بررسی علل نشتی در مخازن حاوی…
    هدف از انجام این پروژه بررسي علل پیدایش نشتی مخازن حاوی سیال و مسائل مختلف حول این مبحث میباشد. جزئیات بیشتر این محصول: پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی دسته: تحقیقات مکانیکی عنوان کامل: بررسی علل پیدایش نشتی مخازن حاوی…
  • ترجمه مقاله تقویت کننده ی شبه تفاضلی…
    مقاله ترجمه شده با عنوان تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: A CMOS Inverter-Based Class-AB Pseudo Differential Amplifier for HF Applications عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده ی…
  • ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در
    مقاله ترجمه شده با عنوان مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى 65 نانومتری. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: New Subthreshold Concepts in ۶۵nm CMOS Technology عنوان فارسی مقاله: مباحث جدید زیرآستانه ای در…
  • ترجمه مقاله تکنولوژی نیمه هادى اکسید…
    مقاله ترجمه شده با عنوان تکنولوژی نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology…
  • ترجمه مقاله مجتمع سازی یکپارچه بادجت…
    مقاله ترجمه شده با عنوان مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى سیلیکونی. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled…
  • ترجمه مقاله روش جدید برای تعیین…
    مقاله ترجمه شده با عنوان روش تازه و بنیادین برای تعیین پارامترهای مدار سیم پیچی میدان و سیم پیچ میراگر ماشین سنکرون. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: A Novel and Fundamental Approach towards Field and Damper Circuit Parameter…
  • ترجمه مقاله مدل حرارتی (لیزر…
    مقاله ترجمه شده با عنوان مدل حرارتی (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای معادله سرعت و شبیه سازی. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Rate-equation-based VCSEL thermal model and simulation عنوان فارسی مقاله: مدل حرارتی (لیزر حفره-عمودی انتشار-سطحی) بر مبنای…
  • ترجمه مقاله روشی برای مدل کردن و شبیه…
    مقاله ترجمه شده با عنوان روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays عنوان فارسی مقاله: روشی جامع برای مدل کردن…
  • ترجمه مقاله طراحی فیلتر توان اکتیو…
    مقاله ترجمه شده با عنوان طراحی فیلتر توان اکتیو (قدرت حقیقی) برای منبع قدرت سوئیچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Design of Active Power Filter for Low Voltage and High Current Switching Power…
  • ترجمه مقاله ماتریس کنترل P-Q مبدل مبتنی…
    مقاله ترجمه شده با عنوان ماتریس کنترل پی- کیو مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان با استفاده از روش کنترل توان مستقیم. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: P-Q Control Matrix Converter Based UPFC By Direct Power…
  • پروژه تاثیر خازن گذاری درشبکه های…
    موضوع این پایان نامه بررسی تاثیر خازن گذاری درشبکه های توزیع و مسائل مختلف حول این مبحث میباشد. جزئیات بیشتر این محصول: پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی عنوان کامل: تاثیر خازن گذاری درشبکه های توزیع دسته: مهندسی برق -…
  • ترجمه مقاله قرار دادن خازن بهینه و…
    مقاله ترجمه شده با عنوان قرار دادن خازن بهینه و اندازه در سیستم های توزیع نامتعادل با بررسی هارمونیک با استفاده از بهینه سازی ازدحام ذرات. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Optimal Capacitor Placement and Sizing in Unbalanced…
  • ترجمه مقاله بررسی محاسبه مدل فلش ولتاژ
    مقاله ترجمه شده با عنوان بررسی محاسبه مدل فلش ولتاژ به دلیل راه اندازی موتورهای ولتاژ بالا و توان بزرگ. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: Research on Calculation Model of Voltage Sags Due to High Voltage and Great…
  • ترجمه مقاله نظارت کنترل کننده مبتنی بر
    مقاله ترجمه شده با عنوان نظارت کنترل کننده یکپارچه پخش توان مبتنی بر فازی برای نوسانات فرکانسی توان. جزئیات بیشتر این محصول: عنوان انگلیسی مقاله: FUZZY BASED UPFC CONTROL FOR POWER FREQUENCY OSCILLATIONS عنوان فارسی مقاله: نظارت کنترل کننده یکپارچه…
  • پروژه طراحی وساخت مدار محافظ وسایل…
    موضوع این پایان نامه طراحي وساخت مدار محافظ وسايل برقي و مسائل مختلف حول این مبحث میباشد. جزئیات بیشتر این محصول: پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی عنوان کامل: طراحی وساخت مدار محافظ وسایل برقی دسته: مهندسی برق - قدرت…